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投资新闻
盛美半导体设备推出半关键清洗系列设备拓宽U
来源:admin 时间:2020-05-24

  Ultra C系列的半枢纽湿法工艺筑造现已面向商场,可孤单或组合出售。请接洽盛美公司相应区域的控制人体会更众讯息。

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  这三款Ultra C系列新产物的标的商场是优秀集成电道界限,功率器件界限和晶圆级封装(WLP)界限。晶圆反面洗濯Ultra C b和槽式湿法洗濯Ultra C wb筑造现已正在中邦优秀半导体厂的量产中证据了它们的上风。首台刷洗筑造Ultra C s也已正在2020年第一季度交付中邦客户,正在验收及格后即可确认收入。

  举行晶圆反面洗濯时,操纵古代的夹具有能够对晶圆正面会带来毁伤,该筑造的晶圆夹具与古代的夹持方法差别,它运用了伯努利效应,使晶圆悬浮于晶圆夹具上,而晶圆正面与夹具间无物理接触。当洗濯化学药液喷淋到晶圆反面举行工艺的工夫,晶圆带器件的一壁就会由夹具喷出的氮气(N2)对其举行维护。

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  盛美半导体筑造公司从事对优秀集成电道创筑与优秀晶圆级封装创筑行业至合首要的单片晶圆或槽式湿法洗濯筑造、电镀筑造、无应力掷光筑造和热解决筑造的研发、坐褥和发卖。并悉力于向半导体创筑商供给定制化、高机能、低损耗的工艺处置计划,来提拔他们众个程序的坐褥功效和产物良率。

  自愿槽式洗濯筑造Ultra C wb,依托盛美研发的槽式与单片洗濯集成筑造Ultra C Tahoe的优秀槽式技巧底子而开采,可能举行众达50片晶圆的批量洗濯。自愿槽式洗濯筑造的枢纽操纵为炉管前洗濯,RCA洗濯,光阻去除,氧化层刻蚀,氮化硅去除,以及晶圆接纳工艺中前段FEOL众晶硅/氧化硅层剥告别除,和后段BEOL金属层剥告别除。该筑造可针对差别的操纵摆设差别的化学药液槽,如硫酸,磷酸,氢氟酸(HF),缓冲氧化物刻蚀液(BOE), SC1和SC2等化学药液槽。晶圆循序正在化学药液槽中浸泡,经去离子水(DI)冲洗,最终正在AT干燥模块中以汽化的异丙醇(IPA)举行干燥,干燥后无水痕。该筑造的模块化计划和较小的占地面积,使其可敏捷摆设。槽式洗濯筑造Ultra C wb可高效地接纳操纵化学药水,节能减排。该筑造可行使于200毫米或者300毫米的晶圆洗濯操纵。

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  该伯努利晶圆夹具采用了盛美的专利技巧,可通过限制晶圆和晶圆夹具之间清闲的间距,来限制刻蚀后晶圆角落的侧向刻蚀宽度,同时满意刻蚀后晶圆角落无夹具印迹的央浼。该筑造可凭据必要摆设完成高产能,以般配短工艺年华的操纵,产能可达300片以上。也可选配优秀的无接触型呆滞手臂以完成超薄晶圆的传输。

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  ,盛美半导体筑造(NASDAQ:ACMR),不日公布了三款用于晶圆正、反面洗濯的湿法洗濯筑造系列。这一系列筑造包罗晶圆反面洗濯筑造Ultra C b,自愿槽式湿法洗濯筑造Ultra C wb,和刷洗筑造Ultra C s,它们将盛美革新的湿法工艺技巧扩展到了更遍及的操纵界限。

  把稳声明:东方财产网公布此讯息的主意正在于撒布更众讯息,与本站态度无合。

  Ultra C b是一款高性价比的晶圆反面洗濯筑造,具有优异的颗粒管控才略和刻蚀平均性限制才略,该筑造三大枢纽操纵分散为晶圆反面洗濯工艺,如金属去除或RCA洗濯;晶圆反面湿法硅刻蚀工艺,如晶圆反面湿法减薄或湿法硅通孔透露(TSV reveal);以及晶圆接纳工艺中的众晶硅层、氧化层和氮化层等膜层剥告别除。该筑造可解决高翘曲度晶圆,实用于解决200毫米或300毫米超薄晶圆和键合晶圆。

  新型刷洗筑造Ultra C s以盛美正在晶圆级封装界限(WLP)已验证告捷的刷洗技巧为底子,延迟操纵于集成电道创筑界限。其装备的软刷可能采用精准的压力限制以洗濯晶圆角落及反面的颗粒。该筑造配有优秀的二流体(气体和液体)喷淋洗濯技巧,还可选配盛美独有的空间交变相位移(SAPS)兆声波技巧以满意客户更高的需求——更强劲的小颗粒去除才略。模块化体系可摆设8个腔体,用于集成电道创筑界限300毫米的晶圆洗濯,个中四个腔体用于正面洗濯工艺,四个腔体用于反面洗濯工艺。该刷洗筑造性价比高,敏捷性强、占地面积小、产能高。

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  “咱们中邦的客户央浼盛美除了供给操纵于枢纽工艺程序中前沿的主打产物以外,也为他们供给其他的非前沿筑造,咱们称之为 ”半枢纽筑造“。这套筑造可能供给高质地的工艺,以援助客户坐褥链中央浼较低但仍旧相当首要的程序。”盛美半导体筑造董事长王晖默示。“咱们开采的Ultra C系列产物满意了这一央浼,扩展了产物链完成一站式办事,同时也为客户供给了更有逐鹿力的产物。”

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